教員情報 - 内田　史朗 | 千葉工業大学

研究室

学位

専門分野

所属学会

（最終更新日：2026-06-09 16:53:15）

  ウチダ　シロウ   Sirou Uchida
  内田　史朗
   所属   千葉工業大学工学部先端材料工学科

千葉工業大学工学研究科先端材料工学専攻

職種教授

■ 研究室

津田沼校舎 2号館5階 010511室

■ 学位

1.		早稲田大学博士（工学）
2.	1988/04～1990/03	早稲田大学理工学研究科物理学及び応用物理学専攻修士課程修了
3.	1984/04～1988/03	早稲田大学工学部応用物理学科卒業

■ 専門分野

キーワード：III-V族化合物半導体　化合物太陽電池　光無線給電

■ 所属学会

1.	2004/09～	応用物理学会
2.	2009/10～2011/05	JEITAナノエレクトロニクス研究会　研究委員
3.	2010/04～	電気学会　パワー半導体レーザー・発光ダイオード調査専門委員会　委員
4.	2014/04～2023/08	応用物理学会　応用電子物性分科会　幹事

■ 取得特許

1.	2012/04	半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法（特許第4977931号）
2.	2012/04	半導体発光素子およびその製造方法（特許第4969210号）
3.	2011/06	半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体装置（特許第7964419号）
4.	2009/12	半導体レーザの製造方法（特許第4415440号）
5.	2009/10	窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子（特許第4383753号）

■ 著書・論文・作品

1.	論文	High-efficient GaInP photonic power converter with distributed Bragg reflector under red laser lights Physics, Simulation, and Photonic Engineering of Photovoltaic Devices XV. Proc. SPIE, 13891,pp.6-10 （共著） 2026/03/05
2.	論文	Investigation of improving the conversion efficiency in GaAs power converter modules under uniform and non-uniform illumination Optical Power Delivery II. SPIE 13889,pp.32-37 （共著） 2026/03/05
3.	論文	Improvement of InGaN power converters for optical wireless power transmission Japanese Journal of Applied Physics 65(2),pp.022003 （共著） 2026/01/21
4.	論文	Enhanced High Laser Irradiation Tolerance in Single-Junction InGaAsP Laser Power Converters With 42% Conversion Efficiency IEEE Transactions on Electron Devices 72(12),6829-6835頁（共著） 2025/10/31
5.	論文	水中光無線給電用受光素子の開発とその応用 69(10),372-377頁（単著） 2025/10/15
6.	論文	Mesh-shaped electrode thickness dependence of 1.06-µm-range InGaAsP photovoltaic characteristics under high-intensity laser irradiation Japanese Journal of Applied Physics 64(10),108002頁（共著） 2025/10/06
7.	論文	High-Efficiency InGaAsP Photovoltaic Devices for Optical Wireless Power Transmission in the 1.06 μm Range PHYSICA STATUS SOLIDIB-BASIC SOLID STATE PHYSICS 223(2) （共著） 2025/09/21
8.	論文	Dependence of the conversion efficiency of CIGS solar cells on the incident laser wavelength for optical wireless power transmission Japanese Journal of Applied Physics 64,pp.07SP01 （共著） 2025/07/01
9.	論文	Conversion Efficiency of 45.0% in InGaP/InGaAs/Ge Triple-Junction Solar Cells for Laser Power Beaming Energies 17(3299),01-12頁（共著） 2024/07/05
10.	論文	Effect of Br Ions in Octylammonium 2D Perovskites for Performance Improvement of CuSCN-Based Perovskite Solar Cells ACS Applied Energy Materials 7,pp.5315-5320 （共著） 2024/06/14
11.	論文	Optical Wireless Power Transmission under Deep Seawater Using GaInP Solar Cells Enerrgies 17(1572),pp.1-10 （共著） 2024/03/26
12.	論文	Optical wireless power transmission using CIGS solar cells Proc. SPIE 12881(09),pp.01-05 （共著） 2024/03/08
13.	論文	InGaN photovoltaic cells for applications in laser power beaming Proc. SPIE 12886(07),pp.01-06 （共著） 2024/03/08
14.	論文	Improvement of perovskite solar cell performance by oleylamine treatment of CuSCN hole-transport layer. Japanese Journal of Applied Physics 62(5),050902-1-050902-5頁（共著） 2023/05/02
15.	論文	Improved Perovskite Solar Cell Performance by LiSCN doping of CuSCN Hole-Transport Layer Chemistry Letters （共著） 2023/04/18
16.	論文	GaInP 太陽電池を用いた光無線給電の応用レーザー研究 51(3),137-140頁（共著） 2023/03
17.	論文	Optical Wireless Power Transmission Using a GaInP Power Converter Cell under High-Power 635 nm Laser Irradiation of 53.5 W/cm2 Energies （共著） 2022/05/18
18.	論文	A 46.7% efficient GaInP photonic power converter under high-power 638 nm laser uniform irradiation of 1.5 W cm−2 Applied Physics Express 15,pp.062003-1-062003-5 （共著） 2022/05/16
19.	論文	A 43.0% efficient GaInP photonic power converter with a distributed Bragg reflector under high-power 638 nm laser irradiation of 17 W cm−2, Applied Physics Express 14(5),pp.052002-1-052002-5 （共著） 2021/04/15
20.	論文	Direct observation of contact potential distributions of wafer-bonded p-GaAs/n-GaN and p-GaAs/n-Si by scanning Kelvin probe force microscopy Japanese Journal of Applied Physics 59(11),pp.115502-1-115502 （共著） 2020/11/01
21.	論文	The investigation of wafer-bonded multi-junction solar cell grown by MBE Journal of Crystal Growth 515,pp.16-20 （共著） 2019/06
22.	論文	III-V族化合物太陽電池の高効率光無線給電への応用光アライアンス 30(2),24-28頁（共著） 2019/02
23.	論文	III-V族化合物太陽電池の高効率光無線給電への応用レーザー研究 46(12),698-701頁（共著） 2018/12
24.	論文	Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance Applied Physics Express 11(10),pp.106501-1-10651-3 （共著） 2018/09
25.	論文	Conversion efficiencies of single-junction III-V solar cells based on InGaP, GaAs, InGaAsP, and InGaAs for laser wireless power transmission Japanese Journal of Applied Physics 57(8S3),pp.08RD12 （共著） 2018/07
26.	論文	Improved efficiency of a four-junction solar cell under real sunlight. Japanese Journal of Applied Physics 57(8S3),pp.08RD04 （共著） 2018/06
27.	論文	光無線伝送における太陽電池変換効率の入射レーザ波長依存性宇宙太陽発電 3,8-11頁（共著） 2018/01
28.	論文	Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded foμr-junction solar cell grown by MBE Solar Energy Materials and Solar Cells 171,pp.118-122 （共著） 2017/06
29.	論文	Investigation of room-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP triple-junction solar cells Applied Surface Science （共著） 2016/07
30.	論文	Room-Temperature Wafer Bonded Multi-Junction Solar Cell Grown by Solid State Molecular Beam Epitaxy MRS Advances 1(43),2907-2916頁（共著） 2016/06
31.	論文	Room-temperature wafer bonded InGaP/GaAs//InGaAsP/InGaAs four-junction solar cell grown by all-solid state molecular beam epitaxy Applied Physics Express （共著） 2015/12
32.	論文	Room-temperature GaAs/InP wafer bonding with extremely low resistance Applied Physics Express 7(11),pp.1-4 （共著） 2014/10
33.	論文	Carriers transport properties in GaInP solar cells grown by molecular beam epitaxy Solid State Communications 200,pp.9-13 （共著） 2014/09
34.	論文	Carrier recombination dynamics of MBE grown InGaAsP layers with 1 eV bandgap for quadruple-junction solar cells Solar Energy Materials and Solar Cells 127,pp.1-5 （共著） 2014/08
35.	論文	GaAs tunnel junction grown using tellurium and magnesium as dopants by solid-state molecular beam epitaxy Japanese Journal of Applied Physics 53(2),pp.1-5 （共著） 2014/01
36.	論文	A GaAs/GaInP dual junction solar cell grown by molecular beam epitaxy Journal of Semiconductors 34(10),pp.1-4 （共著） 2013/03
37.	論文	Monolithic dual-wavelength high-power lasers for CD-R/DVD +/- R/RW/RAM IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics 11(5),pp.1148-1152 （共著） 2005/09
38.	論文	The investigation of GaInP solar cell grown by all-solid MBE Journal of Crystal Growth 378,pp.604-606 （共著） 2013/01
39.	論文	High-efficiency GaAs and GaInP solar cells grown by all solid-state Molecular-Beam-Epitaxy Nanoscale Research Letters 6(1),pp.576-579 （共著） 2011/10
40.	その他	Short wavelength lasers based on GaAs and GaN substrate for DVD and Blu-ray technology TECHNICAL DIGEST, IEEE international ELECTRON DEVICES meeting 2006,SAN FRANCISCO pp.841-844 2006/12
41.	論文	Degradation in AlGaInN lasers phys. stat. sol. 0(7),pp.2292-2295 （共著） 2003/11
42.	論文	Recent Progress in High-Power Blue-Violet Lasers IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics 9(5),pp.1252-1259 （共著） 2003/09
43.	論文	100-mW Kink-Free Blue-Violet Laser Diodes With Low Aspect Ratio IEEE J. Quantum Electronics 39(1),pp.135-140 （共著） 2003/01
44.	その他	Monolithic Dual-Wavelength Lasers for CD-R/DVD±RW/R/RAM Optical Data Storage, Topical Meeting 2004, Monterey, TECHNICAL DIGEST 314-316頁 2004/04
45.	その他	High-power Blue-Violet Lasers Grown On 3-inch Sapphire and GaN Substrate INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 174,pp.307-314 2003/10
46.	論文	光ディスク記録用半導体レーザーの特性改善　―高効率化と高出力化を中心に― 早稲田大学大学院先進理工学研究科　博士論文 (5657) （単著） 2011/02
47.	論文	III-V compound semiconductor multi-junction solar cells fabricated by room-temperature wafer-bonding technique. Japanese Journal of Applied Physics （共著） 2015/04
48.	論文	Short wavelength lasers based on GaAs and GaN substrate for DVD and Blu-ray technology Tech. Digest,IEEE Int. Electron Devices Meeting 2006,San Francisco 32(4),pp.841-845 （共著） 2006/12
49.	論文	Monolithic dual-wavelength lasers for CD-R/ DVD ± RW/R/RAM Proceedings of the SPIE (5380),pp.417-421 （共著） 2004/09
50.	論文	Monolithic dual-wavelength lasers for CD-R/DVD±RW/R/RW Conf. Digest, IEEE 19th Int. Semiconductor Laser Conf, Matsue pp.123 （共著） 2004/09
51.	論文	Monolithic Dual-Wavelength Lasers for CD-R/DVD.+-.RW/R/RW IEICE Technical Report 104(287),1-4頁（共著） 2004
52.	論文	High-power blue-violet lasers. Proc. 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Awaji JL(03),pp.67 （共著） 2003/10
53.	論文	高出力モノリシック二波長半導体レーザ IEICE Technical Report 103(316),5-8頁（共著） 2003/09
54.	論文	High-power AlGaInN lasers for Blu-ray Disc system (4995),pp.117-123 （共著） 2003/07
55.	論文	Blue-violet laser diodes suitable for Blu-ray disk. PHYSICA STATUS SOLIDIB-BASIC SOLID STATE PHYSICS a(194),pp.407 （共著） 2002/12
56.	論文	Extremely long lifetime blue-violet laser diodes grown homoepitaxially on GaN substrate. Ext. Abst. SSDM 2002, Nagoya pp.832-833 （共著） 2002/11
57.	論文	High-power AlGaInN laser diodes with high kink level and low relative intensity noise. Japanese Journal of Applied Physics 41,pp.1829 （共著） 2002/11
58.	論文	Recent progress in high-power blue-violet lasers. Conf. Digest, IEEE 18th Int. Semiconductor Laser Conf. Garisch-Partenkirchen MA(3),pp.5 （共著） 2002/10
59.	論文	高出力青紫色半導体レーザの特性向上電子情報通信学会技術研究報告 102(328),13頁（共著） 2002/09
60.	論文	青紫色半導体レーザ第85回微小光学研究会　光メモリと微小光学－高密度化の直近技術－MICROOPTICS NEWS 20,7頁（共著） 2002/09
61.	論文	High-power AlGaInN lasers. PHYSICA STATUS SOLIDIB-BASIC SOLID STATE PHYSICS a(192),pp.269 （共著） 2002/07
62.	論文	AlGaInN-based laser diodes homoepitaxially grown on GaN substrate Ext. Abst. 44th Electron. Mater. Conf. 2002, Santa Barbara V9 （共著） 2002/06
63.	論文	プリンタ用青紫色2ビームレーザ電子情報通信学会技術研究報告 LQE2002-88 102(119),67-70頁（共著） 2002/06
64.	論文	High power 400nm-AlGaInN/650nm-AlGaInP semiconductor lasers (4651),pp.18-26 （共著） 2002/05
65.	論文	高出力GaN系青紫色半導体レーザ有機エレクトロニクス材料研究会・フォトポリマー懇話会、合同講演会,　講演誌 II,1-7頁（共著） 2002/03
66.	論文	Highly uniform characteristics of blue-violet lasers on a 3-inch Φ wafer Inst. Phys. Conf. Ser. 170,pp.701-709 （共著） 2002/01
67.	論文	Novel techniques for stabilizing transverse mode in AlGaInN-based laser diodes. 170,pp.177-182 （共著） 2002/01
68.	論文	Super high output power of 4.2 W in AlGaInN-based blue-violet laser diode array. Inst. Phys. Conf. Ser. （共著） 2002/01
69.	論文	400-nm band AlGaInN-based high power laser diodes Mater. Res. Soc. Symp. Proc pp.693 （共著） 2001/12
70.	論文	青紫色半導体レーザーの応用と展開光・量子デバイス研究会 OQD-01-54,7-10頁（共著） 2001/12
71.	論文	Estimation of device properties in AlGaInN-based laser diodes by time-resolved photoluminescence PHYSICA STATUS SOLIDIB-BASIC SOLID STATE PHYSICS 188,pp.101-104 （共著） 2001/11
72.	論文	Novel techniques for stabilizing transverse mode in AlGaInN-based laser diodes. PHYSICA STATUS SOLIDIB-BASIC SOLID STATE PHYSICS 188,pp.55-58 （共著） 2001/11
73.	論文	AlGaInN high power lasers Tech. Digest, Int. Symp. on Optical Memory 2001 (Fr-M-03),pp.226 （共著） 2001/07
74.	論文	GaN-based blue laser diodes. J. of Physics: Conference Series （共著） 2001/07
75.	論文	High performance blue-violet AlGaInN laser diodes Tech. Digest, CLEO/Pacific Rim 2001, Chiba WC1-1(II),pp.32-33 （共著） 2001/07
76.	論文	AlGaInN high power lasers grown on ELO-GaN Proc. China-Japan Workshop on Nitride Semiconductor Materials and Devices 2001, pp.100 （共著） 2001/06
77.	論文	AlGaInN high power lasers. Tech. Digest, 2001 Conf. Lasers and Electro-Optics, Baltimore pp.83 （共著） 2001/05
78.	論文	GaN-based high power blue-violet laser diodes Japanese Journal of Applied Physics （共著） 2001/05
79.	論文	GaN-based high-power laser diodes B(82),pp.248-252 （共著） 2001/05
80.	論文	GaN-based violet-blue laser diodes (4351),pp.1-12 （共著） 2001/03
81.	論文	AlGaInN high-power lasers grown on an ELO-GaN layer. Journal of Crystal Growth (221),pp.646-651 （共著） 2000/12
82.	論文	AlGaInN laser diodes grown on an ELO-GaN substrate vs. on a sapphire substrate Conf. Digest, IEEE 17th Int. Semiconductor Laser Conf. 2000, Monterey pp.109-110 （共著） 2000/09
83.	論文	GaN-based high power blue-violet laser diodes. Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Ser. (1),pp.878-881 （共著） 2000/09
84.	論文	Dislocations in AlGaInN-based laser diodes Ext. Abst. 42nd Electron. Mater. Conf. 2000, Denver （共著） 2000/07
85.	論文	AlGaInN based laser diodes Proc. SPIE (3947),pp.156-165 （共著） 2000/01
86.	論文	Growth and characterization of GaN underlying layer used in blue-violet GaN-based laser diodes on sapphire Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (G9),pp.639 （共著） 2000/01
87.	論文	Single-stripe high-power 2-W cw visible laser diodes. Proc. SPIE 2148,pp.37 （共著） 1994/01
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■ 研究題目

1.	2022/04～2025/03	異種材料間接合の低抵抗化とそのデバイス応用基盤研究（C）
2.	2019/06～2019/12	モビリティへの異動中給電用光無線給電の技術ポテンシャル・技術課題調査競争的資金等の外部資金による研究
3.	2018/04～2019/03	ガラスコーティング剤ハドラスのセンシング法に関する研究その他の補助金・助成金
4.	2018/04～2019/03	多接合型半導体光電極を用いた人工光合成の実現競争的資金等の外部資金による研究
5.	2017/04～2018/03	多接合型半導体光電極を用いた人工光合成の実現競争的資金等の外部資金による研究
6.	2016/04～2017/03	多接合型半導体光電極を用いた人工光合成の実現競争的資金等の外部資金による研究
5件表示
全件表示(6件)

■ 委員会・協会等

1.	2018/06	レーザー学会　光無線給電技術専門委員会委員
2.	2014/04/01～	応用物理学会　応用電子物性分科会幹事
3.	2010/04/01～	電気学会　パワー半導体レーザー・発光ダイオード調査専門委員会委員