ハヤシ　シンイチロウ   Shin-Ichiro HAYASHI   林　真一郎    所属   千葉工業大学  工学部 電気電子工学科    職種   准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2026/04
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Design of gate drive voltage for SiC MOSFETs considering gate oxide TDDB lifetime and performance
執筆形態	共著
掲載誌名	Microelectronics Reliability
掲載区分	国外
出版社・発行元	ELSEVIER
巻・号・頁	179(116079)
総ページ数	7
担当区分	筆頭著者
著者・共著者	S.-I. Hayashi, Y. Konishi, S. Muraoka, J. Yamazaki, K. Wada
researchmap用URL	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2026.116079