ヤマウチ　ヒロシ   Yamauchi Hiroshi   山内　博    所属   千葉工業大学  工学部 宇宙・半導体工学科    職種   准教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2013/05
形態種別	論文その他
標題	β-(BEDT-TTF)₂PF₆結晶における金属-絶縁体温度近傍でのゲート電界の効果
執筆形態	共著
掲載誌名	電子情報通信学会技術研究報告
掲載区分	国内
出版社・発行元	一般社団法人電子情報通信学会
巻・号・頁	113(42),33-35頁
著者・共著者	酒井正俊,増尾和哉,國吉繁一,山内博,工藤 一浩
概要	有機電荷移動錯体β-(BEDT-TTF)_2PF_6は297Kにおいて金属-絶縁体転移を示し、転移温度以下では電界秩序相が発現することが知られている。この物質の単結晶を用いて電界効果トランジスタ構造を作製し、ゲート電界によるコンダクタンスの変調を観測した。ゲート電界によるコンダクタンスの変調は、金属絶縁体転移温度において極大を示した。この温度依存性はゲート電界の印加による転移温度のシフトと考えることができる。
ISSN	0913-5685
PermalinkURL	http://id.ndl.go.jp/bib/024583313